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長江存儲與Xperi達成3D_NAND專利許可

放大字體  縮小字體 發布日期:2021-12-11 05:10:59    作者:馮巾萩    瀏覽次數:102
導讀

Xperi公司宣布,該公司已與長江存儲簽署了一項許可協議,該協議包括獲得與Xperi得DBI混合鍵合技術相關得半導體知識產權得基礎組合,以用于其3D NAND產品之中?!鱏ource:Xperi網站截圖Xperi全資子公司Invensas

Xperi公司宣布,該公司已與長江存儲簽署了一項許可協議,該協議包括獲得與Xperi得DBI混合鍵合技術相關得半導體知識產權得基礎組合,以用于其3D NAND產品之中。

△Source:Xperi網站截圖

Xperi全資子公司Invensas總裁Craig Mitchell表示,Xperi得DBI混合鍵合是當前和未來幾代高性能、大容量3D NAND閃存得關鍵技術,Craig Mitchell指出,期待擴大與長江存儲得合作關系。

據Xperi介紹,混合鍵合3D集成技術越來越多地用于各種半導體器件,例如傳感器、存儲器和邏輯器件,以增強性能和功能,同時減小尺寸和成本。在3D NAND應用中,DBI混合鍵合技術能夠分解存儲器陣列和邏輯電路,從而為每個應用提供可靠些得晶圓工藝節點。

不過,作為此次合作得簽約方之一,長江存儲目前并未在其自家平臺對此消息進行表態。

自家資料顯示,長江存儲是一家專注于3D NAND閃存設計制造一體化得M集成電路企業,主要為全球合作伙伴供應3D NAND閃存晶圓及顆粒,嵌入式存儲芯片以及消費級、企業級固態硬盤等產品和解決方案,產品廣泛應用于移動通信、消費數碼、計算機、服務器及數據中心等領域。

 
(文/馮巾萩)
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